Samsung ha comenzado a fabricar chips de 1TB de almacenamiento UFS para smartphones
Samsung es el mayor fabricante de almacenamiento flash en la industria de smartphones y suministran, también, gran parte de esas unidades de memoria al resto de fabricantes para incluirlos en sus terminales.
La compañía acaba de anunciar que ha comenzado a producir en masa chips con 1TB de memoria con soporte UFS 2.1. Samsung llegó a los 512 GB con el Samsung Galaxy Note 9 el año pasado. Ahora, también se rumorea que el Samsung Galaxy S10 + se anunciará con un almacenamiento interno de 1TB, lo que automáticamente significa que usará el sistema UFS 2.1 en lugar del esperado UFS 3.0.
El vicepresidente ejecutivo de venta de memorias y marketing en Samsung Electronics, Cheol Choi, dice que «Esperan que el eUFS de 1TB juegue un papel fundamental para brindar una experiencia de usuario más portátil a la próxima generación de dispositivos móviles». Aparentemente, la unidad de 1TB requiere exactamente el mismo tamaño de encapsulado (11,5 mm x 13,00 mm) que la unidad de 512 GB del año pasado. Está fabricado con 16 capas apiladas de memoria flash V-NAND. Samsung también ha logrado mejorar la velocidad de lectura / escritura en comparación con las unidades anteriores. En la tabla inferior podéis comparar el rendimiento en cada caso:
| Memoria | Velocidad de lectura secuencial | Velocidad de escritura secuencial | Velocidad de lectura aleatoria | Velocidad de escritura aleatoria |
|---|---|---|---|---|
| Samsung 1TB eUFS 2.1 (enero de 2019) | 1000 MB / s | 260 MB / s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| Samsung 512GB eUFS 2.1 (noviembre de 2017) | 860 MB / s | 255 MB / s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung eUFS 2.1 para automoción (septiembre de 2017) | 850 MB / s | 150 MB / s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| Tarjeta UFS Samsung de 256 GB (julio de 2016) | 530 MB / s | 170 MB / s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| Samsung 256GB eUFS 2.0 (febrero de 2016) | 850 MB / s | 260 MB / s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung 128GB eUFS 2.0 (enero de 2015) | 350 MB / s | 150 MB / s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 MB / s | 125 MB / s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 MB / s | 90 MB / s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 MB / s | 50 MB / s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
Como puede ver en la tabla anterior, los chips más nuevos ofrecen mejoras bastante generosas con respecto a las implementaciones anteriores. Lo más probable es que veas una unidad de almacenamiento flash UFS 2.1 de 1TB en la mayoría de los teléfonos inteligentes lanzados en 2019. Obviamente, el Samsung Galaxy S10 y el Samsung Galaxy S10 + serán los primeros dispositivos que lo presenten.
