ANDROTALK

Tu fuente de información sobre tecnología

Noticias

Samsung desarrolla memoria DRAM de 4Gb y 20nm

DRAM LPDDR3 de SamsungEn esta guerra de hoy día (que jamás acabará) por obtener la tecnología más puntera e innovadora, Samsung sigue haciéndose destacar con sus últimas novedades tecnológicas, y ha anunciado el inicio de la producción de memoria DRAM de alta velocidad a baja potencia, para dispositivos móviles, DDR3 (LPDDR3).

Samsung dice estar trabajando en una nueva memoria de 4Gb (gigabit) LPDDR3 móvil basada en procesadores de 20 nm y comparable en rendimiento a las memorias utilizadas hoy día en cualquier ordenador. Estos nuevos procesadores de memoria DRAM de 4Gb pueden transmitir datos de hasta 2133 (Mbps) por pin, lo que resulta ser más del doble en comparación con la actual memoria LPDDR2 de 800Mbps.

Por otra lado, Samsung asegura que la nueva memoria DRAM obtiene un consumo de un 20% menos que la actual, cosa que recibiriamos de buen agrado muchos de nosotros.

Finalmente añade que comenzarán a ofrecer a los fabricantes de hardware original paquetes de 2GB con cuatro chips apilados, que no alcanzarán a superar una altura de 0.8mm en su embalaje, y esperan poder aumentar la producción a finales del actual año 2013.

 

Fuente | Sammyhub

DEJA UNA RESPUESTA

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.